詳細(xì)摘要： 盛美上海的邊緣濕法刻蝕設(shè)備支持多種器件和工藝，包括3D NAND、DRAM和*邏輯工藝，使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質(zhì)、金屬和有機(jī)材料薄膜，以及顆粒...
產(chǎn)品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-11 在線留言盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
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盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
詳細(xì)摘要： 盛美上海的邊緣濕法刻蝕設(shè)備支持多種器件和工藝，包括3D NAND、DRAM和*邏輯工藝，使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質(zhì)、金屬和有機(jī)材料薄膜，以及顆粒...
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詳細(xì)摘要： 盛美上海多陽極局部電踱設(shè)備應(yīng)用千55/40/28和28納米以下的大馬士革銅金屬層沉積。
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詳細(xì)摘要： 盛美上海的前道涂膠顯影設(shè)備支持Arf工藝，未來可拓展至i-line、KrF等光刻工藝，可滿足半導(dǎo)體集成電路制造商的光刻工藝需求。
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詳細(xì)摘要： 盛美上海的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備可應(yīng)用于SiO2, SiNx, Carbon，NDC薄膜沉積工藝， 未來可以擴(kuò)展至單片式PEALD薄膜沉積工...
產(chǎn)品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 盛美上海的Post-CMP設(shè)備用于制造高質(zhì)量襯底化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝之后的清洗，有濕進(jìn)干出（WIDO）和干進(jìn)干出（DIDO）兩種配置。該清洗設(shè)備6英寸和8...
產(chǎn)品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 盛美技術(shù)——空間交變相位移(SAPS™)技術(shù)，通過控制兆聲波清洗裝置與晶圓的間距隨兆聲波相位的變化，來實現(xiàn)兆聲波在晶圓表面的均勻分布，以達(dá)到化的清洗...
產(chǎn)品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-07 在線留言
詳細(xì)摘要： 盛美持有的技術(shù)——時序能激氣穴震蕩（TEBO）技術(shù)，使用創(chuàng)新的兆聲波清洗方式來實現(xiàn)無損傷清洗，可應(yīng)用于現(xiàn)在和未來幾代*器件中，如3D圖形片，極小尺寸，高深寬比結(jié)...
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詳細(xì)摘要： 盛美的背面清洗設(shè)備可用于晶圓背面清洗或者濕法刻蝕工藝， 同時通過伯努利夾盤為晶圓背面提供氮?dú)獗Ｗo(hù)。 該設(shè)備可廣泛應(yīng)用于集成電路制造和晶圓級封裝領(lǐng)域。
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詳細(xì)摘要： 盛美的Ultra C單晶圓清洗系列可廣泛應(yīng)用于*集成電路制造中多種前段工藝（FEOL）和后段工藝（BEOL）,可跟據(jù)不同應(yīng)用配備不同化學(xué)藥液與輔助清洗方式，也可...
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詳細(xì)摘要： 盛美的高溫硫酸清洗設(shè)備Tahoe將槽式模塊和單片清洗模塊集成于同一設(shè)備中，以實現(xiàn)高效的清洗性能，并且其硫酸使用量只有傳統(tǒng)SPM單片清洗設(shè)備的10%甚至更少。該設(shè)...
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詳細(xì)摘要： 盛美的槽式濕法設(shè)備用于批式晶圓濕法清洗、刻蝕、光刻膠去除等工藝，提供多個槽體進(jìn)行化學(xué)藥液或純水，結(jié)合熱浸、噴淋、溢流、快速沖洗等清洗方式，配合*的IPA干燥方式...
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詳細(xì)摘要： 盛美的立式爐設(shè)備可大批量處理300毫米的晶圓，該設(shè)備平臺可應(yīng)用于高性能的半導(dǎo)體制造LPCVD、氧化、退火和ALD應(yīng)用。
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詳細(xì)摘要： 盛美半導(dǎo)體*封裝電鍍設(shè)備可應(yīng)用于多通道*封裝的關(guān)鍵電鍍步驟，包括pillar, bump和 RDL。該電鍍設(shè)備也可運(yùn)用于fan-out, TSV (Throug...
產(chǎn)品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-07 在線留言
詳細(xì)摘要： 盛美的半導(dǎo)體濕法去膠設(shè)備專為高效便捷的光刻膠（PR）剝離清洗應(yīng)用而設(shè)計。
產(chǎn)品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-07 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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