概述
此泵基于新的平臺設(shè)計,提供功能以改善熱管理,從而增強在嚴苛制程中的性能,提高大制程流能力,并減少腐蝕和沉積的影響。
其出色的性能既適用于溫和的應(yīng)用環(huán)境,也適用于嚴苛的環(huán)境,例如半導(dǎo)體刻蝕、注入、光刻和 LCD 制程。
應(yīng)用
- 金屬(鋁)、鎢和電介質(zhì)(氧化物)以及多晶硅等離子刻蝕(氯化物、氟化物和溴化物)
- 電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
- 薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
- 濺射
- 離子注入源,射束線泵送端點站
- MBE
- 擴散
- 光致抗蝕劑脫模
- 晶體/晶膜生長
- 晶片檢查
- 負載鎖真空腔
- 科學(xué)儀器:表面分析、質(zhì)譜分析、電子顯微鏡
- 高能物理:射束線、加速器
- 放射線應(yīng)用:融合系統(tǒng)、回旋
功能和優(yōu)勢
- 增強的 H2、N2 和 Ar 性能
- 改進了在高真空到 2300 sccm 制程壓力范圍內(nèi)的性能
- 免維護
- 無污染
- 低振動
- 獲得的轉(zhuǎn)矩減少機械裝置
- 高溫 TMS 能力
- 低沉積
- 內(nèi)置冷卻機械裝置
- 更高的氣體吞吐量(加熱和未加熱)
- 延長壽命
- 可用于嚴苛制程
- 符合 SEMI®,具有 CE 標記,列于 UL 中
數(shù)據(jù)
入口法蘭 | VG250 |
抽速 | |
N2 | 2650 ls-1 |
H2 | 2050 ls-1 |
壓縮比 | |
N2 | >108 |
H2 | >6 x 103 |
極限壓力 | 10-7 Pa |
大允許前級壓力 | 266 Pa |
大允許氣體流量 | |
N2(水冷卻) | 2300 sccm |
| (3.8 Pam3s-1) |
Ar(水冷卻) | 1900 sccm |
| (3.2 Pam3s-1) |
額定速度 | 27500 rpm |
啟動時間 | 8 min |
固定位置 | 任何方向 |
水冷卻流量 | 3 lmin-1 |
水冷卻溫度 | 5-25 °C (41-77 °F) |
壓力 | 0.3 MPa |
的吹掃氣體流量 | 50 sccm (8.4 x 10-2 Pam3s-1) |
輸入電壓 | 200 至 240 V 交流(± 10) |
功耗 | 1.5 kVA |
泵重量 | 75 kg (165 lb) |
控制器重量 | 12 kg (26.4 lb) |