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探針-硅材料測(cè)試儀-四探針法,針測(cè)試臺(tái)

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更新時(shí)間：2023-12-27 10:34:29瀏覽次數(shù)：223次

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  電壓降測(cè)試儀系列
  粉末電阻率測(cè)試儀

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FT-332普通四探針方阻電阻率測(cè)試儀探針-硅材料測(cè)試儀-四探針法,針測(cè)試臺(tái)按照硅片電阻率測(cè)量的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（ASTMF84）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T1551-2009《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》、GB/T1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)

詳細(xì)介紹

FT-332普通四探針方阻電阻率測(cè)試儀探針-硅材料測(cè)試儀-四探針法,針測(cè)試臺(tái)

按照硅片電阻率測(cè)量的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)，本機(jī)配置232電腦接口及USB兩種接口，本機(jī)結(jié)合采用范德堡測(cè)量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差，比市場(chǎng)上其他普通的四探針測(cè)試方法更加完善和進(jìn)步,特別是方塊電阻值較小的產(chǎn)品測(cè)量，更加準(zhǔn)確.

本儀器本儀器采用四探針單電測(cè)量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。液晶顯示，無(wú)需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無(wú)需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成報(bào)表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導(dǎo)率，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).

參數(shù)資料

1.方塊電阻范圍：10^-4～2×10³Ω/□

2.電阻率范圍：10^-5～2×10⁴Ω-cm

3.測(cè)試電流范圍：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA

4.電流：±0.2%讀數(shù)

5.電阻：≤0.3%

6.顯示讀數(shù)：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導(dǎo)率

7.測(cè)試方式: 普通單電測(cè)量

8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功耗：<30W

9.整機(jī)不確定性誤差: ≤4%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果）

10.選購(gòu)功能: 選購(gòu)1.pc軟件；選購(gòu)2.方形探頭；選購(gòu)3.直線形探頭；選購(gòu)4.測(cè)試平臺(tái)

11.測(cè)試探頭：探針間距選購(gòu)：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購(gòu)：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針