中國南車旗下株洲南車時代電氣股份有限公司“軌道交通用3300伏等級絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片研制及應用”項目，12月21日在長沙通過由湖南省*組織的專家組鑒定。鑒定認為，該成果代表了軌道交通用該電壓等級IGBT器件技術zui高水平，*了國內在該領域的空白。這也是我國企業(yè)研制并成功批量裝車應用的具*自主知識產權的IGBT芯片。
　　
　　IGBT被譽為功率變流產品的“CPU”，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式器件，具有易驅動、控制簡單、開關頻率高、導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小等特點。IGBT系統技術中zui關鍵則是功率半導體器件的芯片技術。
　　
　　中國南車在株洲投入近15億元，建設了*條8英寸生產基地，可年產12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊IGBT芯片。公司副總劉可安介紹，明年年底正式投產后，可提高現有產量逾7倍。2008年，中國南車收購英國丹尼克斯半導體公司，掌握了成熟的IGBT設計、制造和檢測技術，隨后在英國成立功率半導體海外研發(fā)中心，專注IGBT芯片、碳化硅等技術研發(fā)與應用。公司現已掌握了電壓等級從1200伏到6500伏不等的5種IGBT芯片及模塊封裝、測試、應用技術，并成功實現國內城市軌道車輛、大功率交流傳動電力機車裝車，安全運行50余萬公里。
　　
　　作為城市軌道交通牽引主流器件，軌道交通用3000伏電壓等級IGBT芯片應用前景廣泛。*院士劉友梅等認為，項目成果增加了芯片電流容量，提高了器件抗閂鎖能力和短路能力，降低了導通壓降，減少了制造成本，技術創(chuàng)新性強，達*水平，實現了具自主知識產權3300V等級IGBT芯片的突破。