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GNAD-L系列精密研磨拋光機(jī)

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  研磨拋光設(shè)備

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北京艾姆希半導(dǎo)體科技有限公司

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產(chǎn)品簡介

精密研磨拋光系統(tǒng)自動(dòng)化程度高、操作方便，是科學(xué)研究和生產(chǎn)實(shí)驗(yàn)的理想磨拋設(shè)備。整機(jī)防腐，真空吸附固定系統(tǒng)；數(shù)字厚度監(jiān)測裝置，實(shí)時(shí)監(jiān)測去除量；盤溫監(jiān)控及自動(dòng)冷卻選配系統(tǒng)；多通道進(jìn)料系統(tǒng)；工藝參數(shù)存儲(chǔ)以及定時(shí)功能。

詳細(xì)介紹

GNAD-L系列精密拋光設(shè)備主要用于銻化銦焦平面芯片的減薄拋光工藝。
設(shè)備原理是將被磨、拋材料放置于研磨盤上，研磨盤逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)，修正輪帶動(dòng)工件自轉(zhuǎn)，可控加壓的方式對工件進(jìn)行施壓，在磨料的配合下，工件與研磨盤作相對運(yùn)轉(zhuǎn)磨擦，來達(dá)到磨拋目的。
設(shè)備主要包括精密磨拋主機(jī)，自動(dòng)修盤系統(tǒng)，耐腐蝕型真空單元，精磨拋光夾具，真空吸附裝置和基準(zhǔn)板，真空連接器，無刻槽玻璃磨盤，玻璃磨盤測試塊等。
GNAD-L系列精密拋光設(shè)備為全封閉主機(jī)，帶有安全保護(hù)門。設(shè)備配有排風(fēng)功能和照明功能。同時(shí)主機(jī)內(nèi)部帶有內(nèi)置水槍和，真空計(jì)量表。
設(shè)備主機(jī)分為兩個(gè)區(qū)域，工作區(qū)與顯示控制區(qū)分離。并采用微電腦數(shù)字化控制面板，所有參數(shù)調(diào)整均可在觸摸控制面板上進(jìn)行調(diào)整。主機(jī)帶有工藝參數(shù)儲(chǔ)存及調(diào)用功能，確保工藝的一致性和重復(fù)性。
主機(jī)工作具有定時(shí)功能，設(shè)定時(shí)間達(dá)到后設(shè)備停止運(yùn)轉(zhuǎn)。主軸采用不銹鋼材料，堅(jiān)固耐用。設(shè)備具有的去除量設(shè)置及檢測功能，在發(fā)生故障事件時(shí)，能夠報(bào)警提示。
設(shè)備配置樣品水平轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)具有擺動(dòng)功能，擺動(dòng)幅度和擺速可以實(shí)時(shí)顯示在控制面板上，并可精準(zhǔn)調(diào)節(jié)。研磨盤轉(zhuǎn)動(dòng)速度≤70rpm，可以根據(jù)用戶需求進(jìn)行調(diào)整。
晶圓樣品通過抽真空的方式吸附在夾具底面，并可以根據(jù)用戶工藝要求定制各種角度附件等非標(biāo)夾具附件，并實(shí)現(xiàn)對非標(biāo)形狀樣品的拋光及角度拋光。
夾具具有壓力調(diào)節(jié)功能，對晶圓樣品的壓力連續(xù)可調(diào)，壓力范圍0.1-3.5kg，并配置壓力測量裝置。
夾具配備數(shù)字厚度監(jiān)測表（數(shù)字千分表），數(shù)字千分表具備實(shí)時(shí)信號傳輸及采集功能，控制去除量?？蓪?shí)現(xiàn)與主機(jī)工藝參數(shù)的實(shí)時(shí)傳輸，監(jiān)測精度優(yōu)于2μm。
夾具的轉(zhuǎn)速配有獨(dú)立驅(qū)動(dòng)功能，有輔助帶動(dòng)電機(jī)，電機(jī)轉(zhuǎn)速與盤轉(zhuǎn)速能夠穩(wěn)定匹配，轉(zhuǎn)速范圍0～70rpm。并配置角度調(diào)節(jié)板，調(diào)節(jié)范圍±3°。
設(shè)備配有無刻槽玻璃磨盤，以及在線修盤系統(tǒng)具備平整度自動(dòng)控制功能，可以實(shí)時(shí)信號傳輸及采集功能，反饋研磨盤平面度，平面度測量偏差優(yōu)于1μm。
研磨盤方便安裝、容易清洗。
設(shè)備主機(jī)內(nèi)置供料裝置，提供至少三路進(jìn)料通道，采用蠕動(dòng)泵控制滴流料液，料桶能夠在線攪拌，防止磨料劇團(tuán)。
每個(gè)滴料通道都可以單獨(dú)控制，進(jìn)料速度1～100ml/min連續(xù)可控。供料管耐腐蝕，方便拆卸清洗。
供料管道配置沖水功能，并具有滴料檢測報(bào)警提示功能。
設(shè)備主機(jī)配置單獨(dú)的真空單元，真空度可以達(dá)到-0.9bar，配有無油真空泵，具有獨(dú)立防倒吸功能，以減少超凈空間的污染。
在線實(shí)時(shí)磨拋盤溫控及冷卻選配功能，盤溫接近預(yù)設(shè)溫度警戒值，設(shè)備會(huì)自動(dòng)啟動(dòng)冷卻功能，保持磨拋盤在工藝要求的溫度范圍內(nèi)運(yùn)轉(zhuǎn)工作。
磨拋盤自動(dòng)沖洗選配功能，可實(shí)時(shí)在線沖洗磨拋工作區(qū)域。并且流速，清洗時(shí)間等參數(shù)可精確數(shù)控。
設(shè)備定時(shí)功能，預(yù)設(shè)時(shí)間0-10小時(shí)。預(yù)設(shè)時(shí)間達(dá)到，設(shè)備自動(dòng)停機(jī)。
為更好的配合檢測工作，單獨(dú)配置一套非接觸式測厚儀，顯示分辨率0.1μm，探測分辨率2.5μm，測量厚度范圍±1.25mm，控制部分配置高純過濾裝置，可以過濾0.5μm顆粒。
非接觸式測厚儀氣源壓力2bar，氣體流量0.2cfm，可通過內(nèi)置壓力表調(diào)節(jié)，測量力15~20g氣壓。
GNAD-L系列精密拋光設(shè)備加工尺寸≤100mm/4寸，厚度為0.1～1.5mm；
Ф50mm晶片的總厚度偏差（TTV）在±1μm以內(nèi)；
Ф75mm晶片的總厚度偏差（TTV）在±2μm以內(nèi)；
Ф100mm晶片的總厚度偏差（TTV）在±3μm以內(nèi)。

適用的材料包括：
• 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
• III-V材料（GaAs、InP、GaSb等）
• 第三代半導(dǎo)體材料（SiC、GaN 等）
• 紅外材料（CZT、MCT等）
• 光電材料（LiNbO?、LiTaO?、SiO?等）
• 金屬材料（Au、Cu、Al、Mo、TC4等）
應(yīng)用的范圍包括:
• MEMS
• 半導(dǎo)體器件
• 半導(dǎo)體襯底
• 封裝

項(xiàng)目	參數(shù)
電源:	230V 50/60Hz 10A
環(huán)境溫度:	15～35℃
環(huán)境濕度:	15％～55％
晶圓尺寸:	≤100mm/4寸
擺臂驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)速:	0-70rpm
盤轉(zhuǎn)速:	0-70rpm
定時(shí)時(shí)間:	0-10小時(shí)
進(jìn)料通道:	≥ 3