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CDP400 精密CMP設(shè)備

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作為晶圓制造的關(guān)鍵制程工藝之一，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級(jí)平坦化。盤溫實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，自動(dòng)冷卻功能氣缸加壓功能終點(diǎn)檢測(cè)功能

詳細(xì)介紹

• 主機(jī)及所有的零備件均采用高防腐蝕材料，整機(jī)防腐，適用于多種半導(dǎo)體材料的化學(xué)機(jī)械拋光。
• 系統(tǒng)配置觸摸屏控制面板，所有功能參數(shù)均可在控制面板上設(shè)置?？刂泼姘逯糜诠ぷ鲄^(qū)域外部，采用可移動(dòng)方式，不僅可以調(diào)節(jié)面板位置間距和角度，還可以前后左右移動(dòng)控制面板位置。這一設(shè)計(jì)不僅避免磨拋液濺入到面板上，造成操作系統(tǒng)腐蝕；也適應(yīng)于不同操作人員使用習(xí)慣。
• CMP 拋光過程中通過對(duì)拋光狀態(tài)的分析，最終實(shí)現(xiàn)終點(diǎn)檢測(cè)功能，即使晶圓到達(dá)的厚度后，拋光盤停止轉(zhuǎn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓最終厚度的精準(zhǔn)控制，多用于除層平坦化等工藝。
• 終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)/EPD 可以在拋光過程中進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，而無需在拋光過程中停下進(jìn)行測(cè)量。終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)在處理過程中監(jiān)控設(shè)備主機(jī)各主要參數(shù)。當(dāng)設(shè)備成功達(dá)到期望的終點(diǎn)值時(shí)，蜂鳴聲就會(huì)響起，EPD系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)中止平坦化操作。另外，終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)可以用做一個(gè)安全裝置，一旦所監(jiān)控的工藝參數(shù)被檢測(cè)到有變化，EPD就會(huì)觸發(fā)警報(bào)以防止過拋。
• 在平坦化及除層操作中任何相對(duì)于預(yù)設(shè)工藝參數(shù)的偏離都會(huì)導(dǎo)致程序中斷?？刂泼姘鍟?huì)自動(dòng)將過程跳到拋光步，將裝有晶片/IC 的拋光頭從拋光墊上升起，以防止停留在拋光墊上發(fā)生任何不必要的損傷。
• CDP400 系列通過自動(dòng)化參數(shù)控制及的材料處理多功能性的組合，CDP 自動(dòng)化拋光機(jī)提供可重復(fù)性在納米量級(jí)的精度，用于當(dāng)前器件制造的很多材料的處理。由于它的精確性，低成本和易使用性，CDP 系列自動(dòng)化拋光機(jī)給 CMP 應(yīng)用提供了理想的環(huán)境。
• 觸摸屏程序化的操作面板里可以存儲(chǔ)相互獨(dú)立的材料處理程序。可以選擇增加至 50 組以上。自動(dòng)化，可重復(fù)，集成電路的平坦化和延緩化，多個(gè)和單獨(dú)的模具和晶片，這些都可以通過控制屏設(shè)定來實(shí)現(xiàn)。
• CDP400 的夾具可用于4 英寸晶片和模具頭，一旦晶片被附到拋光頭上，壓力負(fù)載可以輕松的通過觸摸屏設(shè)定。這樣可以保證在晶片表面上拋光的平滑程度，最終實(shí)現(xiàn) CMP 工藝加工。

適用的材料包括：
• 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
• III-V材料（GaAs、InP、GaSb等）
• 第三代半導(dǎo)體材料（SiC、GaN 等）
• 紅外材料（CZT、MCT等）
• 光電材料（LiNbO?、LiTaO?、SiO?等）
• 金屬材料（Au、Cu、Al、Mo、TC4等）
應(yīng)用的范圍包括:
• MEMS
• 半導(dǎo)體器件
• 半導(dǎo)體襯底
• 封裝

項(xiàng)目	參數(shù)
電源:	220-240v 10A
環(huán)境溫度:	20°C ± 5°C
環(huán)境濕度:	<>
晶圓尺寸:	4”/ 100mm
工作盤直徑:	520mm
擺臂驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)速:	0-90rpm
盤轉(zhuǎn)速:	0-120rpm
定時(shí)時(shí)間:	0-10小時(shí)
進(jìn)料通道:	≥ 2