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連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)

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詳細(xì)介紹

CP-PVD系列磁控濺射鍍膜設(shè)備采用的in-line產(chǎn)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，Twin-Mag孿生陰極磁控濺射技術(shù)，并配以全自動(dòng)控制系統(tǒng)、的真空系統(tǒng)，可在玻璃襯底上鍍制SiO2、ITO、AZO、Al、Ni、Ti等各類(lèi)絕緣介質(zhì)薄膜、金屬或合金薄膜，并可連續(xù)濺鍍多種不同材質(zhì)的薄膜構(gòu)成復(fù)合多膜層結(jié)構(gòu)，適合大規(guī)模光學(xué)、電學(xué)薄膜的生產(chǎn)，做到一機(jī)多用，。 CP-PVD系列磁控濺射鍍膜設(shè)備是由廣東志成集團(tuán)與華中科技大學(xué)機(jī)械科學(xué)與工程學(xué)院、東莞華中科技大學(xué)制造工程研究院根據(jù)連續(xù)濺鍍薄膜功能材料的要求聯(lián)合自主研發(fā)而成，具有高能效、高可靠性、低成本的優(yōu)勢(shì)。本產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽(yáng)能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。技術(shù)特點(diǎn)：（一）產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 1）in-line多腔體模塊化結(jié)構(gòu)，鍍膜室、進(jìn)出片室緩沖隔離處理。 2）防顆粒立式腔體、小角度傾斜腔體或高穩(wěn)定性臥式腔體，雙端進(jìn)出，自動(dòng)回架。 3）孿生平面靶結(jié)構(gòu)、圓柱靶，可進(jìn)行雙面濺鍍。 4）磁流體密封，動(dòng)態(tài)真空穩(wěn)定性。 5）磁導(dǎo)流、磁懸浮傳動(dòng)，運(yùn)行過(guò)程平穩(wěn)可靠。 6）SUS304不銹鋼腔體材料，內(nèi)壁拋光放氣率低，外壁拋光噴珠美觀耐用。 7）平移架氣缸自動(dòng)化平移，與自動(dòng)平移實(shí)現(xiàn)同步連鎖。 8）真空室之間采用門(mén)閥—插板閥隔開(kāi)，高效隔斷，工藝氣體波動(dòng)最小化。（二）C-Mag技術(shù) 1）基于志成“C-Mag"技術(shù)，靶材利用率比一般設(shè)備提高10%以上。 2）基于志成“C-Mag"技術(shù)，可使設(shè)備稼動(dòng)率提高到90%以上。（三）生產(chǎn)工藝特點(diǎn) 1）RF或離子源預(yù)清洗設(shè)計(jì)，高度清潔基材表面，增強(qiáng)膜層附著力。 2）DC濺射、MF濺射、RF濺射根據(jù)工藝需求可選。 3）隔離式磁控濺射多靶位，SiO2、ITO等多層膜連續(xù)濺鍍。 4）膜層均勻性好，可控制在±3%以?xún)?nèi)。 5）紅外加熱，分段PID溫度控制，溫度誤差控制±3℃。 6）變頻調(diào)速，生產(chǎn)速率可控。 7）人機(jī)界面，PC+PLC控制，生產(chǎn)過(guò)程全自動(dòng)化，高穩(wěn)定性、高重復(fù)性。 8）偏壓濺射：在基片上施加偏置電壓，使基片位置相對(duì)接地（陽(yáng)極），真空室處負(fù)電位，吸引部分離子加速流向基片，提高成膜轟擊原子的能量，達(dá)到改變膜層性能的目的?？煞譃橹绷骱兔}沖偏壓濺射。 9）膜厚監(jiān)控和沉積過(guò)程由計(jì)算機(jī)在線(xiàn)控制。 10）膜厚監(jiān)控和沉積速率由計(jì)算機(jī)在線(xiàn)控制。 11）可選增加在線(xiàn)退火處理箱體。技術(shù)參數(shù)： 1）極限真空：6×10-4Pa 2）生產(chǎn)節(jié)拍：40-120s/架（依賴(lài)于具體的生產(chǎn)工藝進(jìn)行定制） 3）基片尺寸：可定制，可實(shí)現(xiàn)同機(jī)濺射多種尺寸產(chǎn)品的柔性化設(shè)計(jì) 4）膜層均勻性：±3% 5）加熱溫度：400℃

技術(shù)特點(diǎn)：
（一）產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
      1）in-line多腔體模塊化結(jié)構(gòu)，鍍膜室、進(jìn)出片室緩沖隔離處理。
      2）防顆粒立式腔體、小角度傾斜腔體或高穩(wěn)定性臥式腔體，雙端進(jìn)出，自動(dòng)回架。
      3）孿生平面靶結(jié)構(gòu)、圓柱靶，可進(jìn)行雙面濺鍍。
      4）磁流體密封，動(dòng)態(tài)真空穩(wěn)定性。
      5）磁導(dǎo)流、磁懸浮傳動(dòng)，運(yùn)行過(guò)程平穩(wěn)可靠。
      6）SUS304不銹鋼腔體材料，內(nèi)壁拋光放氣率低，外壁拋光噴珠美觀耐用。
      7）平移架氣缸自動(dòng)化平移，與自動(dòng)平移實(shí)現(xiàn)同步連鎖。
      8）真空室之間采用門(mén)閥—插板閥隔開(kāi)，高效隔斷，工藝氣體波動(dòng)最小化。
（二）C-Mag技術(shù)
      1）基于志成“C-Mag"技術(shù)，靶材利用率比一般設(shè)備提高10%以上。
      2）基于志成“C-Mag"技術(shù)，可使設(shè)備稼動(dòng)率提高到90%以上。
（三）生產(chǎn)工藝特點(diǎn)
      1）RF或離子源預(yù)清洗設(shè)計(jì)，高度清潔基材表面，增強(qiáng)膜層附著力。
      2）DC濺射、MF濺射、RF濺射根據(jù)工藝需求可選。
      3）隔離式磁控濺射多靶位，SiO2、ITO等多層膜連續(xù)濺鍍。
      4）膜層均勻性好，可控制在±3%以?xún)?nèi)。
      5）紅外加熱，分段PID溫度控制，溫度誤差控制±3℃。
      6）變頻調(diào)速，生產(chǎn)速率可控。
      7）人機(jī)界面，PC+PLC控制，生產(chǎn)過(guò)程全自動(dòng)化，高穩(wěn)定性、高重復(fù)性。
      8）偏壓濺射：在基片上施加偏置電壓，使基片位置相對(duì)接地（陽(yáng)極），真空室處負(fù)電位，吸引部分離子加速流向基片，提高成膜轟擊原子的能量，達(dá)到改變膜層性能的目的?？煞譃橹绷骱兔}沖偏壓濺射。
      9）膜厚監(jiān)控和沉積過(guò)程由計(jì)算機(jī)在線(xiàn)控制。
      10）膜厚監(jiān)控和沉積速率由計(jì)算機(jī)在線(xiàn)控制。
      11）可選增加在線(xiàn)退火處理箱體。

技術(shù)參數(shù)：
      1）極限真空：6×10-4Pa
      2）生產(chǎn)節(jié)拍：40-120s/架（依賴(lài)于具體的生產(chǎn)工藝進(jìn)行定制）
      3）基片尺寸：可定制，可實(shí)現(xiàn)同機(jī)濺射多種尺寸產(chǎn)品的柔性化設(shè)計(jì)
      4）膜層均勻性：±3%
      5）加熱溫度：400℃