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產(chǎn)品型號(hào)PAIOS
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地北京市
更新時(shí)間:2024-12-17 20:11:16瀏覽次數(shù):58次
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太陽能電池載流子特性分析系統(tǒng)
詳細(xì)說明: | |||
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近年來, 有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究和開發(fā)取得了日新月異的進(jìn)展,其中有機(jī)電致發(fā)光二極管、有機(jī)薄膜晶體管、有機(jī)太陽能電池、有機(jī)存儲(chǔ)器、有機(jī)傳感器、有機(jī)激光器等相關(guān)有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件的研究取得了大量的研究成果。隨著有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件研究和開發(fā)的深入, 有機(jī)半導(dǎo)體中載流子的傳輸能力是影響有機(jī)半導(dǎo)體器件性能的一個(gè)重要的因素。衡量有機(jī)半導(dǎo)體材料載流子傳輸能力的主要參數(shù)是載流子遷移率u, 它直接反映了載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)能力, 因此載流子遷移率的測(cè)量是有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件研究中的重要內(nèi)容。 我公司推出有機(jī)太陽能電池OPV、鈣鈦礦太陽能電池、OLED器件和其他有機(jī)半導(dǎo)體器件載流子遷移率測(cè)量系統(tǒng)。 |
太陽能電池載流子特性分析系統(tǒng)
? 主要應(yīng)用:
* 無機(jī)半導(dǎo)體光電器件,有機(jī)半導(dǎo)體光電器件;
* 有機(jī)太陽能電池OPV;
* 鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell,鈣鈦礦LED;
* 無機(jī)太陽能電池(例如:?jiǎn)尉Ч琛⒍嗑Ч?、非晶硅等硅基太陽能電池)?br/> * 染料敏化太陽能電池DSSC;
? 主要測(cè)量功能:
* 功率點(diǎn)MPP、FF、Voc、Isc、VS 光強(qiáng),遷移率(I-V測(cè)試 & I-V-L測(cè)試,空間電荷限制電流SCLC法)
* 載流子密度,載流子動(dòng)力學(xué)過程(瞬態(tài)光電流法 TPC)
* 載流子壽命,載流子符合動(dòng)力學(xué)過程(瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開路電壓法 TPV)
* 載流子遷移率(暗注入瞬態(tài)法 DIT,單載流子器件&OLED)
* 串聯(lián)電阻,幾何電容,RC時(shí)間(電壓脈沖法 Pulse Voltage)
* 參雜密度,電容率,串聯(lián)電阻,載流子遷移率(暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV)
* 載流子遷移率,載流子密度(光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV)
* 載流子復(fù)合過程,朗之萬函數(shù)復(fù)合前因子(時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV)
* 不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度,載流子遷移率(注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV)
* 幾何電容,電容率(MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV)
* 陷阱強(qiáng)弱度,等效電路(阻抗譜測(cè)試 IS)
* 遷移率,陷阱強(qiáng)弱度,電容,串聯(lián)電阻(電容VS頻率 C-f)
* 內(nèi)建電壓,參雜濃度,注入勢(shì)壘,幾何電容(電容VS電壓 C-V)
* 點(diǎn)亮電壓(電流電壓照度特性 I-V-L)
* 發(fā)光壽命,載流子遷移率(瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL)
-整合了DC,AC and Transient mode
用于太陽能電池/OLED器件載流子特性測(cè)量與分析,通過對(duì)器件的變光強(qiáng)J-V曲線、瞬態(tài)光電流譜TPC,瞬態(tài)光電壓譜TPV、線性增壓載流子抽取Photo-CELIV、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜IMPS、強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜IMVS、阻抗譜IS、電容電壓譜CV、深能級(jí)瞬態(tài)譜DLTS等進(jìn)行測(cè)量分析,表征器件的載流子遷移率、載流子壽命和濃度、載流子動(dòng)力學(xué)過程、摻雜和陷阱分布等性能參數(shù),從而對(duì)太陽能電池/OLED器件和其他有機(jī)半導(dǎo)體中的載流子遷移率進(jìn)行有效的分析和測(cè)量。
測(cè)量參數(shù)
• Charge carrier mobility載流子遷移率
• Carrier lifetime載流子壽命
• Recombination efficiency復(fù)合效率
• Charge injection barriers電荷注入勢(shì)壘
• Geometric capacitance幾何電容
• J-V Curve電流-電壓曲線
• J-V-L 電流-電壓-亮度曲線
• Pmax、FF、Voc、Isc VS光強(qiáng)曲線
• Carrier lifetime載流子壽命
• Trap density陷阱密度
• Trap depth陷阱深度
• Doping density摻雜濃度
• Series resistance串聯(lián)電阻
• Electrical permittivity介電常數(shù)
• Built-in voltage內(nèi)建電場(chǎng)
• Emitter lifetime (OLED)發(fā)射壽命
• 軟件后處理功能:可獲得更豐富的測(cè)試數(shù)據(jù)
測(cè)量曲線:
技術(shù)規(guī)格
• 采樣率:60MS/s
• 時(shí)間分辨率:16ns
• 頻率范圍:10mHz to 10MHz
• 電流分辨率:<100pA
• LED上升時(shí)間:100ns
• 電流范圍:100mA
• 電壓范圍:±12V
可選功能
• Solar Cell Version or/and OLED Version
• Multi-LED模塊:360nm~1100nm for EQE
• 變溫測(cè)試臺(tái):-120 °C to 150 °C(多種可選)
• 光譜儀:OLED器件發(fā)光光譜測(cè)量
• SMU 擴(kuò)展模塊: 電壓±60V,電流分辨1pA
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