光敏三極管PT850-F3

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產(chǎn)品型號PT850-F3

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地深圳市

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更新時間：2024-03-05 19:40:47瀏覽次數(shù)：134次

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產(chǎn)品分類 品牌分類

  光敏傳感系列

全部產(chǎn)品列表

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深圳市芯華利實業(yè)有限公司

經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：73條

所在地區(qū)：廣東深圳市

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產(chǎn)品簡介

特征Features響應時間快（Fastresponsetimes）

詳細介紹

特征Features

響應時間快（Fast response times）。

高光敏性（High photo sensitivity）。

小結(jié)電容（Small junction capacitance）。

替代傳統(tǒng)CDS光敏電阻，不含鎘、鉛等有害物質(zhì)，符合歐盟ROHS標準（Instead of the traditional CDS photosensitive resistance, contain cadmium, lead and hazardous substances, ROHS compliant）。用于光控類產(chǎn)品，控制晝夜切換（For optical control products, control day and night switching）。

額定值Absolute Maximum Ratings (Ta =25℃)

參數(shù) Parameter	符號 Symbol	額定值 Rating	單位 Units
工作電壓 Supply input Voltage	VCC	12	V
工作環(huán)境溫度 Operating Temperature	Topr	-25~+85	℃
儲存環(huán)境溫度 Storage Temperature	Tstg	-40~+100	℃
焊接溫度 Lead Soldering Temperature	Tsol	260	℃
25℃或低于25℃環(huán)境下功耗Power Dissipation at(or below)25℃Free AirTemperature	PC	70	mW

光電特性Electro-Optical characteristics(Ta=25℃)

參數(shù) Parameter	符號Symbol	條件Condition	最小值Min.	中間值Typ.	值Max.	單位Units
集電極發(fā)射極擊穿電壓Collector-Emitter Breakdown Voltage	BVCEO	Ic=100μA Ee=0mW/cm2	30	---	70	V
發(fā)射極集電極擊穿電壓Emitter-Collector Breakdown Voltage	VECO	IE=100μA Ee=0mW/cm2	5	---	---	V
集電極發(fā)射極飽和電壓Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sta)	Ic=2mA Ee=1mW/cm2	---	---	0.4	V
啟動延時Rise time	Tr	VCE=5V Ic=1mA RL=1000Ω	---	15	---	μS
關閉延時Fall Time	Tf	VCE=5V Ic=1mA RL=1000Ω	---	15	---	μS
暗電流Collector Dark Current	ICEO	Ev=0mW/cm2 VCE=20V	---	---	100	nA
亮電流On StatCollector Current	IC(on)	Ev=10lux 590nmVCE=5v	7	---	8	uA
接收峰值光譜 Wavelength of Peak Sensitivity	λρ	---	400	850	1100	nm