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創(chuàng)見(jiàn)內(nèi)存DDR4-2133筆記本第四代內(nèi)存

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創(chuàng)見(jiàn)內(nèi)存DDR4-2133筆記本第四代內(nèi)存

詳細(xì)介紹

　　

 

　　產(chǎn)品外觀因型號(hào)不同而有所差異，圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)際產(chǎn)品為準(zhǔn)。

　　DDR4-2133 SO-DIMM內(nèi)存模塊超越經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試，以確保主流筆記本的性能和穩(wěn)定性。因?yàn)樾〉男问揭蛩兀」P記本電腦的外殼通常是伴隨著緊密間隔的散熱空間有限成分，超越的DDR4 SO-DIMM工作在標(biāo)稱電壓只有1.2V至不僅沒(méi)有減少產(chǎn)熱，而且整體功耗節(jié)省更多能源。

容量 DRAM 創(chuàng)見(jiàn)型號(hào) 描述
4GB 512Mx8 TS512MSH64V1H 4GB DDR4 2133 SO-DIMM 1Rx8
8GB 512Mx8 TS1GSH64V1H 8GB DDR4 2133 SO-DIMM 2Rx8
16GB 1024Mx8 TS2GSH64V1B 16GB DDR4 2133 SO-DIMM 2Rx8

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