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高精度-寬范圍-TMR線性磁傳感器芯片-DFN8L封裝

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更新時間：2024-05-09 10:50:47瀏覽次數(shù)：102次

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商鋪產(chǎn)品：160條

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產(chǎn)品簡介

2952采用了一個的推挽式惠斯通全橋結(jié)構(gòu)設(shè)計，包含四個非屏蔽高靈敏度TMR傳感器元件。當(dāng)外加磁場沿平行于傳感器敏感方向變化時，惠斯通全橋提供差分電壓輸出，并且該輸出具有良好的溫度穩(wěn)定性。性能*，采用DFN8L封裝形式(2mm ×2mm×0.45mm)特性 ：隧道磁阻（TMR）技術(shù)高穩(wěn)定性高靈敏度：2mV/V/Gs低磁滯：0.3%@

詳細介紹

2952采用了一個的推挽式惠斯通全橋結(jié)構(gòu)設(shè)計，包含四個非屏蔽高靈敏度TMR傳感器元件。當(dāng)外加磁場沿平行于傳感器敏感方向變化時，惠斯通全橋提供差分電壓輸出，并且該輸出具有良好的溫度穩(wěn)定性。性能*，采用DFN8L封裝形式(2mm ×2mm×0.45mm)

特性 ：

  • 隧道磁阻（TMR）技術(shù)

  • 高穩(wěn)定性 

  • 高靈敏度：2mV/V/Gs

  • 低磁滯：0.3%@±100Gs

  • 線性誤差：±1%@±100Gs

  • 工作磁場范圍：±100Gs 

  • 工作溫度范圍：-40~125℃

  • 供電電壓：1~7V

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(典型電路圖)

應(yīng)用：

  1. 電流傳感器

  2. 磁力計 

  3. 角度傳感器

  4. 位置傳感器

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（封裝尺寸）


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