采用大功率反并聯(lián)晶閘管模塊、隔壁電路、觸發(fā)電路、保護電路及散熱裝置等元件組成，可用于690V以下容性或感性負載的通斷控制，通斷時無涌流，無過電壓，工作時無噪音，允許頻繁投切，安裝，接線簡單方便，特別適用于快速投切的SVC型動態(tài)低壓無功補償裝置。其中AN-TSC3系列動態(tài)投切開關的三相獨立控制技術解決了三相不平衡沖擊負荷補償?shù)募夹g難題。該系列動態(tài)投切開關通過了電力工業(yè)無功補償成套質量檢驗測試中心的檢驗。
主要技術參數(shù)
額定電壓：110V、450V、690V
控制電容：≤60Kvar、≤3×20Kvar
額定頻率：50Hz
環(huán)境溫度：-25℃~+55℃
控制電壓：DC12V
控制電流：20mA
投入電流：<1.8In
海拔高度：≤2000m
·結構設計合理，接線簡單，安裝調試方便，可三相和分相補償；
·可接于電容器角外實現(xiàn)三相兩控，也可接于電容器角內實現(xiàn)三相三控；
·采用有效的保護電路，提高了調節(jié)器的抗諧波能力；
·采用了溫控技術，可靠保證可控硅在規(guī)定溫度范圍內工作，當有元件出現(xiàn)故障時或某種原因造成投切開關溫度超標時；投切開關會自動退出，有效保護投切開關不損壞；
·充分采用集成電路，盡量減少分立元件，使得投切開關體積盡可能合理并減小，可使整個柜體的成本降低；
·抗干擾電路設計，提高了投切開關的抗力，有效防止誤觸發(fā)引起可控硅擊穿故障。
型號參數(shù)表
| 標準型號選型列表 |
| 三相共補 | 單相分補 |
| 型號 | 控制電容容量 | 型號 | 控制電容容量 |
| TSC2-15 | ≤16Kvar | TSC3-5 | ≤3×5Kvar |
| TSC2-30 | ≤30Kvar | TSC3-10 | ≤3×10Kvar |
| TSC2-40 | ≤40Kvar | TSC3-15 | ≤3×15Kvar |
| TSC2-50 | ≤50Kvar | TSC3-20 | ≤3×20Kvar |
| TSC2-60 | ≤60Kvar | | |
起重機、升降機、焊接設備等。SIEG-TSC-10于三相無功電流的共補，SIEG-TSC-2則用于三相無功電流任意相的獨立補償（分補），可由投切控制器通過直流或交流信號直接控制投切。投切開關采用第三代基于氮化鋁陶瓷基板(DBC)制造技術的晶閘管開關模塊，較之目前常用的采用第二代氧化鋁基板技術的晶閘管，具有更強的承受冷熱沖擊能力，散熱能力更強，溫升更低，能夠長期穩(wěn)定、可靠地工作。
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