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MSN交談IGBT吸收電容
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- 深圳市嘉林電子有限公司
- 2021-09-22 14:08:09
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【簡單介紹】
雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，
多條引線設(shè)計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。
用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路
【詳細(xì)說明】
IGBT突波吸收電容
雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，
多條引線設(shè)計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。
用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路
材料特性
電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)
封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合（UL94V-0 ）標(biāo)準(zhǔn).
尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù) 。（可按客戶需求定制特殊規(guī)格）
電氣特性
電容量: 0.0047 to 6.8μF,參考表格數(shù)據(jù)
額定電壓: 700 to 3000 Vdc
損耗角正切:
Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4
絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF
耐電壓: 2Ur （DC）
工作溫度: -40~+
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深圳市嘉林電子有限公司
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