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技術(shù)優(yōu)勢

傳感芯片采用*的高精度硅技術(shù)，精度 ±0.05%

雙過載保護(hù)膜片設(shè)計

優(yōu)異的高靜壓性能

EMC符合GB/T 18268.1-2008

技術(shù)參數(shù)

測量范圍（未遷移）2 kPa250 kPa

量程比--

環(huán)境溫度-40℃ +85℃

介質(zhì)溫度-30℃ +250℃

溫度影響量-20℃~65℃時總影響量;

±（0.3×TD+0.1）×Span

準(zhǔn)確度等級±0.05% / ±0.1%

長期漂移±0.1%×Span/5年

組態(tài)屬性 線性/ 平方根/ 自由編程

外殼材質(zhì)鋁合金表面噴涂環(huán)氧樹脂

外殼防護(hù)等級IP67

本安防爆Nepsi Exia IICT4

防爆Nepsi Exd IICT4

過程連接材質(zhì) 不銹鋼 316L

重量10～16.5 kg

總線標(biāo)準(zhǔn)4～20mA HART