PN8386產(chǎn)品描述：
PN8386集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（264VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了極為全面的智能保護(hù)功能，包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等。
PN8386產(chǎn)品特點(diǎn)：
內(nèi)置650V高雪崩能力的功率MOSFET
內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路小于50MW空載損耗(264V AC)
采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒流恒壓輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)
無需額外補(bǔ)償電容
無音頻噪聲
智能保護(hù)功能
過溫保護(hù)（OTP）
VDD欠壓&過壓保護(hù) (UVLO&OVP)
逐周期過流保護(hù) (OCP)
CS開/短路保護(hù) (CS O/SP）
開環(huán)保護(hù) (OLP)
商機(jī)
