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金屬所雙重功能光電子器件研究取得進(jìn)展

2023-11-03 10:52:40金屬研究所閱讀量:351 我要評論


導(dǎo)讀:光電探測器具有快速的光響應(yīng)和高靈敏度,適用于光學(xué)傳感、通信和成像系統(tǒng)等領(lǐng)域。而神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器受人眼視覺系統(tǒng)的啟發(fā),能夠感知、存儲和處理光信號。兩種光電子器件各具特點且功能互補。

  光電探測器和神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器作為兩種典型的光電子器件,在光信息的感知和處理方面具有重要作用。光電探測器具有快速的光響應(yīng)和高靈敏度,適用于光學(xué)傳感、通信和成像系統(tǒng)等領(lǐng)域。而神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器受人眼視覺系統(tǒng)的啟發(fā),能夠感知、存儲和處理光信號。兩種光電子器件各具特點且功能互補。因此,若能在單個器件上實現(xiàn)光電探測器和神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器的集成,并可按應(yīng)用場景進(jìn)行切換,將提高光電子器件的集成度并拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。然而,由于兩者光響應(yīng)速度存在的矛盾,使得在單個器件上同時實現(xiàn)這兩種器件的功能集成變得尤為困難。
 
  為解決上述問題,中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家研究中心聯(lián)合研究部副研究員張興來等,構(gòu)筑了一種溝槽橋接GaN/Ga2O3/GaN雙異質(zhì)結(jié)陣列器件。通過調(diào)節(jié)Ga2O3中氧空位的電離和去電離過程,器件在低電壓和高電壓下分別表現(xiàn)出易失性和非易失性光電流。也就是說,僅通過改變工作電壓的大小,即可在單個器件上實現(xiàn)光電探測和神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器兩種角色的轉(zhuǎn)換。該器件在低電壓作為光電探測器工作時,展現(xiàn)出很快的光響應(yīng)速度(118 μs)和很高的比探測率(1.13 × 1011 Jones),并實現(xiàn)了光控邏輯電路、光電成像和光通信等復(fù)雜功能。而器件在高電壓作為神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器工作時,實現(xiàn)了包括雙脈沖易化、短程可塑性到長程可塑性的轉(zhuǎn)變、經(jīng)驗學(xué)習(xí)行為以及圖像記憶等神經(jīng)突觸特性的模擬。此外,經(jīng)過器件對圖像的神經(jīng)形態(tài)預(yù)處理后,圖像的識別效率提高了62.4%。這一研究不僅為在單個器件上同時實現(xiàn)光電探測器和神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器的各種先進(jìn)功能提供了新方法,而且為實現(xiàn)機器人視覺系統(tǒng)和神經(jīng)形態(tài)計算提供了可能。
 
  近日,相關(guān)研究成果以Dual-mode conversion of photodetector and neuromorphic vision sensor via bias voltage regulation on a single device為題,發(fā)表在《先進(jìn)材料》(Advanced Materials,DOI: 10.1002/adma.202308090)上。
 
 
  圖1. 器件的設(shè)計概念、結(jié)構(gòu)和特性。(a)根據(jù)光響應(yīng)速度特性對光電器件的功能分類示意圖。(b)GaN/Ga2O3/GaN陣列器件示意圖。(c)器件和(d)溝槽橋接Ga2O3納米線的SEM圖像。不同偏置電壓下器件的(e)瞬態(tài)光響應(yīng)以及(f)光電流衰減擬合曲線。異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)示意圖:(g)無光照和偏壓,(h)紫外光照和高偏置電壓,(i)紫外光照和低偏置電壓。(j)異質(zhì)結(jié)中O 1s的XPS能譜。
 
 
  圖2. 器件作為光電探測器的功能化應(yīng)用。(a)器件的成像原理圖以及所獲得的成像字母;(b)光通信系統(tǒng)的原理圖;(c)基于該器件實現(xiàn)的摩爾斯電碼傳輸。
 
 
  圖3. 器件作為神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器的圖像預(yù)處理和識別功能。(a)用于圖像預(yù)處理和識別的人工神經(jīng)形態(tài)視覺系統(tǒng)的示意圖;(b)器件降噪前后的數(shù)字圖像;(c)器件降噪前后的圖像識別率曲線;(d)圖像訓(xùn)練結(jié)果的混淆矩陣;(e)在不同背景噪聲水平(0.1-0.9)下進(jìn)行圖像預(yù)處理前后的數(shù)字圖像;(f)背景噪聲水平對圖像識別率提升效果的影響。
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