·技術(shù)優(yōu)勢
傳感芯片采用高精度硅技術(shù),精度 ±0.075% /±0.01%
雙過載保護膜片設計,單向過壓可達40MPa
優(yōu)異的高靜壓性能,靜壓誤差可控制在±0.05%/10MPa以內(nèi)
量程比100:1
EMC符合GB/T 18268.1-2008
技術(shù)參數(shù)
測量范圍(未遷移)2 kPa40MPa
環(huán)境溫度-40℃ +85℃
介質(zhì)溫度-30℃ +250℃
溫度影響量-20℃~65℃時總影響量;
±(0.3×TD+0.1)×Span
準確度等級±0.05% / ±0.1%
長期漂移±0.1%×Span/5年
組態(tài)屬性 線性/ 平方根/ 自由編程
外殼材質(zhì)鋁合金表面噴涂環(huán)氧樹脂
外殼防護等級IP67
本安防爆Nepsi Exia IICT4
防爆Nepsi Exd IICT4
過程連接材質(zhì) 不銹鋼 316L